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Memoria RAM 1x 32GB Hynix DDR4 2Rx8 3200MHz PC4-25600 SO-DIMM ECC | HMAA4GS7CJR8N-XN

Memoria RAM 1x 32GB Hynix DDR4 2Rx8 3200MHz PC4-25600 SO-DIMM ECC | HMAA4GS7CJR8N-XN

  • Kit de RAM 32GB Samsung que consiste en 1x 32GB 2Rx8 PC4-25600 DDR4 3200MHz SO-DIMM ECC | HMAA4GS7CJR8N-XN
FabricanteHynix
Designación del fabricanteHMAA4GS7CJR8N-XN
Estadonuevo
Capacidad total32 GB
Kit1x 32 GB
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Fabricante
Hynix
Designación del fabricante
HMAA4GS7CJR8N-XN
Estado
nuevo
Capacidad total
32 GB
Kit
1x 32 GB
Tipo
DDR4
Rango
2Rx8
Tipo de memoria
SO-DIMM ECC
Soporte ECC
sí
Registro (ECC Registered)
no
Velocidad del módulo
PC4-25600
Frecuencia
3200 MHz
Latencia de ciclo
22
Tensión (V)
1.2
Conector
260 clavijas
Garantía
2 años
Tipo de producto
RAM
La entidad responsable de este producto en la UE.
SK hynix Inc
ProductorSK hynix IncDirección: Gyeongchung-daero, Bubal-eup, Icheon-siCódigo postal: 2091Localidad: Gyeonggi-doPaís: Korea PołudniowaDirección de correo electrónico: info@hynix.com
Podmiot odpowiedzialnyAB S.A.Dirección: Kościerzyńska 32Código postal: 51-416Localidad: WrocławPaís: PolskaDirección de correo electrónico: info@ab.pl
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